Formation of silicon nitride layers by nitrogen ion irradiation of silicon baised to a high voltage in an electron cyclotron resonance microwave plasma
Author: | Wolfgang EnsingerORCiDGND, Kerstin VolzGND, G. Schrag, Bernd StritzkerGND, Bernd RauschenbachORCiD |
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Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/25893 |
Parent Title (English): | Applied Physics Letters |
Publisher: | AIP |
Type: | Article |
Language: | English |
Year of first Publication: | 1998 |
Release Date: | 2017/07/21 |
Volume: | 72 |
Issue: | 10 |
First Page: | 1164 |
Last Page: | 1166 |
DOI: | https://doi.org/10.1063/1.121001 |
Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |