Growth of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures by plasma-induced molecular beam epitaxy

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Metadaten
Author:A. P. Lima, C. R. Miskys, U. Karrer, O. Ambacher, Axel WenzelGND, Bernd RauschenbachORCiD, M. Stutzmann
Frontdoor URLhttps://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/123695
ISSN:0022-0248OPAC
Parent Title (English):Journal of Crystal Growth
Publisher:Elsevier BV
Place of publication:Amsterdam
Type:Article
Language:English
Year of first Publication:2000
Release Date:2025/07/22
Volume:220
Issue:4
First Page:341
Last Page:344
DOI:https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00887-3
Institutes:Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV