Growth of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures by plasma-induced molecular beam epitaxy
Author: | A. P. Lima, C. R. Miskys, U. Karrer, O. Ambacher, Axel WenzelGND, Bernd RauschenbachORCiD, M. Stutzmann |
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Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/123695 |
ISSN: | 0022-0248OPAC |
Parent Title (English): | Journal of Crystal Growth |
Publisher: | Elsevier BV |
Place of publication: | Amsterdam |
Type: | Article |
Language: | English |
Year of first Publication: | 2000 |
Release Date: | 2025/07/22 |
Volume: | 220 |
Issue: | 4 |
First Page: | 341 |
Last Page: | 344 |
DOI: | https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00887-3 |
Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |