Low-temperature electrical resistivity of slightly Ge-doped YbRh2Si2

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Metadaten
Author:M. Schubert, H. S. Jeevan, Philipp GegenwartORCiDGND
URN:urn:nbn:de:bvb:384-opus4-865202
Frontdoor URLhttps://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/86520
ISSN:0031-9015OPAC
ISSN:1347-4073OPAC
Parent Title (English):Journal of the Physical Society of Japan
Publisher:Physical Society of Japan
Type:Article
Language:English
Year of first Publication:2011
Publishing Institution:Universität Augsburg
Release Date:2021/05/17
Tag:General Physics and Astronomy
Volume:80
Issue:Suppl. A
First Page:SA004
DOI:https://doi.org/10.1143/jpsjs.80sa.sa004
Institutes:Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik VI
Dewey Decimal Classification:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Licence (German):Deutsches Urheberrecht