Low-temperature electrical resistivity of slightly Ge-doped YbRh2Si2
Author: | M. Schubert, H. S. Jeevan, Philipp GegenwartORCiDGND |
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URN: | urn:nbn:de:bvb:384-opus4-865202 |
Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/86520 |
ISSN: | 0031-9015OPAC |
ISSN: | 1347-4073OPAC |
Parent Title (English): | Journal of the Physical Society of Japan |
Publisher: | Physical Society of Japan |
Type: | Article |
Language: | English |
Year of first Publication: | 2011 |
Publishing Institution: | Universität Augsburg |
Release Date: | 2021/05/17 |
Tag: | General Physics and Astronomy |
Volume: | 80 |
Issue: | Suppl. A |
First Page: | SA004 |
DOI: | https://doi.org/10.1143/jpsjs.80sa.sa004 |
Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik VI | |
Dewey Decimal Classification: | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
Licence (German): | ![]() |