Donor implanted back-gates in GaAs for MBE-grown highest mobility two-dimensional electron systems
| Author: | J. Scharnetzky, P. Baumann, C. Reichl, Helmut KarlORCiDGND, W. Dietsche, W. Wegscheider |
|---|---|
| Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/88103 |
| ISSN: | 0268-1242OPAC |
| ISSN: | 1361-6641OPAC |
| Parent Title (English): | Semiconductor Science and Technology |
| Publisher: | IOP Publishing |
| Type: | Article |
| Language: | English |
| Year of first Publication: | 2021 |
| Publishing Institution: | Universität Augsburg |
| Release Date: | 2021/07/29 |
| Tag: | Condensed Matter Physics; Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials; Materials Chemistry |
| Volume: | 36 |
| Issue: | 8 |
| First Page: | 085012 |
| DOI: | https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac0d9a |
| Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |


