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Formation of crystalline SiC films by CH4 plasma immersion ion implantation into Si

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Metadaten
Author:Kerstin VolzGND, Bernd RauschenbachORCiD, Bernd StritzkerGND, W. Ensinger
Frontdoor URLhttps://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/114343
ISSN:0168-583XOPAC
Parent Title (English):Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Publisher:Elsevier BV
Place of publication:Amsterdam
Type:Article
Language:English
Year of first Publication:1999
Publishing Institution:Universität Augsburg
Release Date:2024/07/25
Volume:148
Issue:1-4
First Page:540
Last Page:544
DOI:https://doi.org/10.1016/s0168-583x(98)00757-5
Institutes:Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV
Dewey Decimal Classification:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik