Formation of buried epitaxial silicon carbide layers in silicon by ion beam synthesis
| Author: | Jörg K. N. Lindner, Kerstin VolzGND, Uwe Preckwinkel, B. Götz, A. Frohnwieser, Bernd RauschenbachORCiD, Bernd StritzkerGND |
|---|---|
| Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/23551 |
| Parent Title (English): | Materials Chemistry and Physics |
| Publisher: | Elsevier |
| Place of publication: | Amsterdam |
| Type: | Article |
| Language: | English |
| Year of first Publication: | 1996 |
| Publishing Institution: | Universität Augsburg |
| Release Date: | 2017/07/21 |
| Volume: | 46 |
| Issue: | 2-3 |
| First Page: | 147 |
| Last Page: | 155 |
| DOI: | https://doi.org/10.1016/S0254-0584(97)80008-9 |
| Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |
