Correlated barrier hopping in Ni0 films

  • The ac conduction in NiO films has been investigated in the frequency range 10 Hz < v < 10^9 Hz and at temperatures between 10 and 300 K. The frequency and the temperature dependence of the electrical conductivity can be consistently explained within a model developed for the mechanism of charge transfer in amorphous semiconductors which proposes that charge carriers hop over potential barriers between defect sites, the height of the barriers being correlated with the intersite separation.

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Metadaten
Author:Peter LunkenheimerORCiDGND, Alois LoidlORCiDGND, C. R. Ottermann, K. Bange
URN:urn:nbn:de:bvb:384-opus4-8916
Frontdoor URLhttps://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/1036
Parent Title (English):Physical Review B
Type:Article
Language:English
Year of first Publication:1991
Publishing Institution:Universität Augsburg
Release Date:2008/06/20
Tag:electrical conductivity; NiO films; temperature dependence
GND-Keyword:Elektrische Leitfähigkeit; Nickelmonoxid; Dünne Schicht; Temperaturabhängigkeit
Volume:44
Issue:11
First Page:5927
Last Page:5930
DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.5927
Institutes:Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Materials Resource Management
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Materials Resource Management / Lehrstuhl für Materials Engineering
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik V
Dewey Decimal Classification:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik