Open Access

Silviu-Cosmin Grecu

• In the last years organic semiconductor based devices have made the step from the laboratory to the market in mobile telephones displays or RF-ID tags, becoming more and more present in everyday life devices. The scope of this thesis is to investigate the influence of preparation on the electrical properties of poly(3-hexyl)thiophene in different devices (field-effect transistors, metal-insulator semiconductor diodes and hole-only diodes). Firstly the influence of various organic and inorganic insulators is analyzed. Another important issue is the modification of the silicon oxide surface energy through self-assembled monolayers, thus promoting a better self-organization of the P3HT molecules during the film formation. The last but not the least important process which leads to an improvement of the electrical characteristics of FETs and MIS diodes is the post spin-coating annealing. At the same time special attention will be given to the influence of external parameters asIn the last years organic semiconductor based devices have made the step from the laboratory to the market in mobile telephones displays or RF-ID tags, becoming more and more present in everyday life devices. The scope of this thesis is to investigate the influence of preparation on the electrical properties of poly(3-hexyl)thiophene in different devices (field-effect transistors, metal-insulator semiconductor diodes and hole-only diodes). Firstly the influence of various organic and inorganic insulators is analyzed. Another important issue is the modification of the silicon oxide surface energy through self-assembled monolayers, thus promoting a better self-organization of the P3HT molecules during the film formation. The last but not the least important process which leads to an improvement of the electrical characteristics of FETs and MIS diodes is the post spin-coating annealing. At the same time special attention will be given to the influence of external parameters as temperature, light and environment upon the operation of these devices. A comparison of our data with existing models describing the charge transport will be attempted in the end.…
• In den letzten Jahren haben Bauelemente, basierend auf organischen Halbleitern, den Schritt vom Labor auf den Markt vollzogen und halten z.B. bei Bildschirmen für Mobiltelefone und bei RFID Transpondern immer mehr Einzug in Geräte des alltäglichen Lebens. Ziel dieser Arbeit ist es, den Einfluss der Präparation auf die elektrischen Eigenschaften von Poly(3-Hexyl)Tiophens anhand verschiedener Bauelemente (Feld-Effekt-Transistoren, Metall-Isolator-Halbleiterdioden und Loch-Dioden) zu untersuchen. Als erstes wird der Einfluss unterschiedlicher organischer und anorganischer Isolatoren analysiert. Ein weiterer wichtiger Punkt ist die Modifikation der Siliziumoxid-Oberflächenenergie durch selbstorganisierte Monolagen, welche eine bessere Selbstorganisation der P3H Moleküle während der Schichtbildung hervorruft oder verursacht. Der letzte aber dennoch sehr wichtige Prozess, der zu einer Verbesserung der elektrischen Eigenschaften der FETs und MIS Dioden führt, ist die thermische BehandlungIn den letzten Jahren haben Bauelemente, basierend auf organischen Halbleitern, den Schritt vom Labor auf den Markt vollzogen und halten z.B. bei Bildschirmen für Mobiltelefone und bei RFID Transpondern immer mehr Einzug in Geräte des alltäglichen Lebens. Ziel dieser Arbeit ist es, den Einfluss der Präparation auf die elektrischen Eigenschaften von Poly(3-Hexyl)Tiophens anhand verschiedener Bauelemente (Feld-Effekt-Transistoren, Metall-Isolator-Halbleiterdioden und Loch-Dioden) zu untersuchen. Als erstes wird der Einfluss unterschiedlicher organischer und anorganischer Isolatoren analysiert. Ein weiterer wichtiger Punkt ist die Modifikation der Siliziumoxid-Oberflächenenergie durch selbstorganisierte Monolagen, welche eine bessere Selbstorganisation der P3H Moleküle während der Schichtbildung hervorruft oder verursacht. Der letzte aber dennoch sehr wichtige Prozess, der zu einer Verbesserung der elektrischen Eigenschaften der FETs und MIS Dioden führt, ist die thermische Behandlung nach dem Spin-Coating. Gleichermaßen wird dem Einfluss externer Parameter, wie Temperatur, Licht und Umgebung, auf die Arbeitsweise des Bauelements, besondere Aufmerksamkeit gewidmet. Ein Vergleich unserer Daten mit vorhandenen Modellen zur Beschreibung des Ladungstransports wird am Ende dieser Arbeit präsentiert.…