Formation of buried epitaxial silicon carbide layers in silicon by ion beam synthesis
Author: | Jörg K. N. Lindner, Kerstin VolzGND, Uwe Preckwinkel, B. Götz, A. Frohnwieser, Bernd RauschenbachORCiD, Bernd StritzkerGND |
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Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/23551 |
Parent Title (English): | Materials Chemistry and Physics |
Publisher: | Elsevier |
Place of publication: | Amsterdam |
Type: | Article |
Language: | English |
Year of first Publication: | 1996 |
Release Date: | 2017/07/21 |
Volume: | 46 |
Issue: | 2-3 |
First Page: | 147 |
Last Page: | 155 |
DOI: | https://doi.org/10.1016/S0254-0584(97)80008-9 |
Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |