Formation of epitaxial β-SiC layers by fullerence carbonization of silicon (001): a comparison between the use of C60 and C70 molecules
| Author: | Sascha Henke, M. Philipp, Bernd RauschenbachORCiD, Bernd StritzkerGND |
|---|---|
| Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/23605 |
| Parent Title (English): | Materials Science and Engineering: B |
| Publisher: | Elsevier |
| Place of publication: | Amsterdam |
| Type: | Article |
| Language: | English |
| Year of first Publication: | 1996 |
| Release Date: | 2017/07/21 |
| Volume: | 36 |
| Issue: | 1-3 |
| First Page: | 291 |
| Last Page: | 294 |
| DOI: | https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01374-1 |
| Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |
