Formation of silicon carbide and amorphous carbon films by pulse baising silicon to a high voltage in a methane electron cyclotron resonance microwave plasma
Author: | Kerstin VolzGND, Wolfgang EnsingerORCiDGND, Wolfgang ReiberGND, Bernd RauschenbachORCiD, Bernd StritzkerGND |
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Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/25887 |
Parent Title (English): | JMR - Journal of Materials Research |
Publisher: | Cambridge University Press |
Place of publication: | Cambridge |
Type: | Article |
Language: | English |
Year of first Publication: | 1998 |
Release Date: | 2017/07/21 |
Volume: | 13 |
Issue: | 7 |
First Page: | 1765 |
Last Page: | 1768 |
DOI: | https://doi.org/10.1557/JMR.1998.0248 |
Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |