Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy

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Metadaten
Author:Kerstin VolzGND, Sascha Schreiber, Jürgen W. GerlachGND, Wolfgang ReiberGND, Bernd RauschenbachORCiD, Bernd StritzkerGND, W. Assmann, Wolfgang EnsingerORCiDGND
Frontdoor URLhttps://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/31821
Parent Title (English):Materials Science and Engineering: A
Publisher:Elsevier
Place of publication:Amsterdam
Type:Article
Language:English
Year of first Publication:2000
Release Date:2017/07/21
Volume:289
Issue:1-2
First Page:255
Last Page:264
DOI:https://doi.org/10.1016/S0921-5093(00)00825-X
Institutes:Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV