Ion beam induced epitaxial crystallization of buried SiC layers in silicon
| Author: | Jörg K. N. Lindner, Kerstin VolzGND, Bernd StritzkerGND |
|---|---|
| Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/33551 |
| Parent Title (English): | Materials Science Forum |
| Publisher: | Trans Tech Publications |
| Place of publication: | Zurich |
| Type: | Article |
| Language: | English |
| Year of first Publication: | 1997 |
| Release Date: | 2017/07/21 |
| Volume: | 248-249 |
| First Page: | 73 |
| Last Page: | 78 |
| DOI: | https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.248-249.73 |
| Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik / Lehrstuhl für Experimentalphysik IV |
