Herstellung und Charakterisierung oxidischer Feld-Effekt-Transistoren und integrierter Schaltkreise
- Diese Arbeit befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Feld-Effekt-Transistoren (FET) basierend auf dem System LaAlO3-SrTiO3 (LAO-STO). An der Grenzfläche dieser beiden isolierenden Oxide bildet sich ein zweidimensionales Elektronensystem aus. Dieses zweidimensionale Elektronensystem lässt sich sehr gut für die Realisierung von Feld-Effekt-Transistoren ausnutzen. In dieser Arbeit wurden zwei unterschiedliche Transistortypen basierend auf dem System LAO-STO untersucht. Diese zeigen Funktionalitäten, die sehr gut mit denen konventioneller Halbleiter-FETs vergleichbar sind. Außerdem konnten aufbauend auf diesen neuartigen Transistoren sogar integrierte Schaltkreise hergestellt werden. Dies ist ein wichtiger Schritt zur monolithischen Integration funktionaler Oxide. Der Anhang der Arbeit behandelt wichtige Zusammenarbeiten, die im Laufe dieser Arbeit stattgefunden haben.
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| Author: | Rainer Jany |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:bvb:384-opus4-23675 |
| Frontdoor URL | https://opus.bibliothek.uni-augsburg.de/opus4/2367 |
| Advisor: | Jochen Mannhart |
| Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Publishing Institution: | Universität Augsburg |
| Granting Institution: | Universität Augsburg, Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
| Date of final exam: | 2013/05/03 |
| Release Date: | 2013/07/16 |
| Tag: | Oxide; zweidimensionales Elektronensystem; Lanthanaluminat; integrierte Schaltkreise |
| GND-Keyword: | Lanthanaluminide; Strontiumtitanat; Feldeffekttransistor; Grenzflächenphysik |
| Institutes: | Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät |
| Mathematisch-Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät / Institut für Physik | |
| Dewey Decimal Classification: | 5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik |
| Licence (German): |  Deutsches Urheberrecht mit Print on Demand |
